Name: Vishay Siliconix SQ1912EH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1912EH-T1_GE3
Price: 0.1497 USD
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SQ1912EH-T1_GE3

Artikelnummer:

SQ1912EH-T1_GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

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Verpackung

~~Vishay Siliconix SQ1912EH-T1_GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SQ1912EH-T1_GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SC-70-6
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Leistung - max	1.5W
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	75pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.15nC @ 4.5V
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	800mA (Tc)
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SQ1912
SQ1912EH-T1_GE3 Einzelheiten PDF [English]	SQ1912EH-T1_GE3 PDF - EN.pdf

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